镁橄榄石－C合成的MgO－SiC－C质材料及其制备方法

申请专利号: CN200810048257.9

本发明涉及一种以镁橄榄石和C合成的MgO-SiC-C质材料及其制备方法。所采用的技术方案是：按摩尔比先将1～4mol的镁橄榄石矿粉和3～6mol的C粉混合，外加上述混合料质量百分含量4～10%的结合剂，搅拌或混碾10～30分钟，经压制成型后干燥。然后在还原气氛下烧结，烧结温度为1450～1700℃，保温时间为2～8小时，得MgO-SiC-C质复合材料。本发明所采用的工业炭粉原料来源广泛、镁橄榄石矿的资源丰富，不仅可有效解决镁砂资源紧缺的问题，且生产成本低。所制备的MgO-SiC-C质复合材料，可保持材料优良的性能，能减缓材料的蚀损，使用寿命延长。

 

申请日: 2008.07.03

公开(公告)号: CN101306952

公开(公告)日: 2008.11.19

主分类号: C04B35/66(2006.01)

分类号: C04B35/66(2006.01)

申请(专利权)人: 武汉科技大学

地址: 430081湖北省武汉市青山区建设一路

国省代码: 湖北;42

发明(设计)人: 祝洪喜;邓承继;白晨

专利代理机构: 武汉开元专利代理有限责任公司

代理人: 樊戎